Почему запись медленная при тесте оперативной памяти
Перейти к содержимому

Почему запись медленная при тесте оперативной памяти

  • автор:

Почему запись медленная при тесте оперативной памяти

Часовой пояс: UTC + 3 часа

Различия в результатах тестирования ОЗУ различными тестами

Новая тема / Ответить Сообщений: 3
Пред. тема | След. тема
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы

Здравствуйте!
Есть старый компьютер следующей (имеющей в данном случае значение) конфигурации:
Процессор: INTEL Pentium 4 3.2 ГГц Prescott SL7E5 Socket 478 1 МБ 800 МГц
https://www.ebay.com/itm/INTEL-Pentium4 . 2749.l2649
https://ark.intel.com/ru/products/27466 . SB?q=SL7E5
Системная плата: GIGABYTE GA-8IPE1000 (rev. 3.1) чипсет INTEL 865PE
http://www.gigabyte.ru/products/page/mb . 1000_3x#sp
Оперативная память: Samsung 4 ГБ 4×1 ГБ PC3200 DDR 400 МГц памяти низкой плотности 2Rx8 CL3 DIMM (4 модуля по 1 Гб)
https://ru.aliexpress.com/item/4GB-4x1G . 33ed1GrZR9
https://www.ebay.com/itm/273339331135?V . 3339331135
Если тестировать память программой Memtest86 v4.3.7 или программой Memtest86+ v4.20, то всё нормально, ошибок при тестировании не выдаёт. Однако если протестировать память программой Windows Memory Diagnostics Tool из набора Windows 7 (Test Mix: Standard, Cache: Default, то есть On), то примерно на 25% теста появляется сообщение о проблеме с памятью: Hardware problem were detected. и так далее. Что конкретно не нравится этой программе тестирования памяти — не знаю как посмотреть. Если провести тестирование при значении параметра Cache: Off, то тест проходит медленно и долго, но сообщения о проблемах не появляются. Оперативная память, если верить программе Memtest86+ v4.20, работает на частоте 201 МГц (DDR402), тайминги памяти: CAS: 3-3-3-8, режим работы памяти — двухканальный. Вопрос: почему могут различаться результаты тестирования памяти различными программами? Какой программе верить? Что ещё можно предпринять?

Сегодня, наконец, повозился с этой памятью на уровне железа. Извлёк пару модулей из канала A. Осмотрел модули. Обратил внимание, что, на этих модулях, купленных мной на AliExpress (https://ru.aliexpress.com/item/4GB-4x1GB-PC3200-400MHZ-184pins-Low-density-Desktop-memory-2Rx8-CL3-DIMM-4G-RAM-for-Dell/32612543616.html?spm=a2g0s.9042311.0.0.245333ed61koHU), установлены микросхемы, на которых написано Kingston, хотя в SPD эти модули значатся как Samsung. На микросхемах двух других модулей, купленных мною позже на eBay, написано Samsung и продавались они как Samsung и в их SPD значится Samsung. Вообще, SPD у всех четырёх модулей одинаковы, даже серийный номер у всех один и тот же. Поначалу подумал, что проблемы возникают из-за неполной совместимости пар модулей (раз в них использованы микросхемы разных производителей). После извлечения модулей из канала A протестировал модули в канале B. Тест прошёл без ошибок. (Имеется в виду что здесь и далее все тесты проводились программой Windows Memory Diagnostics Tool (Средство диагностики памяти Windows) от Windows 7 в стандартном режиме (Standard) при включенном кэше на частоте памяти 400 МГц при напряжении питания ядра процессора Vcore=1,2 В). Извлёк модули из канала B, вставил туда вынутые ранее модули из канала A. Тест — без ошибок. Установил эти модули в разъёмы канала A — тест опять без ошибок. В конечном счёте поменял пары модулей местами по сравнению с тем как они стояли изначально (модули из канала A в канал B и наоборот — из канала B — в канал A), то есть были установлены уже все четыре модуля. Тест — без ошибок. Включил в BIOS-е технологию M.I.B (Memory Intelligent Booster), прогнал тест — опять без ошибок. Таким образом, проблема, судя по всему, устранена. Возможно, всё дело было в плохом контакте контактных площадок модулей в разъёмах. При установке/извлечении модулей в разъёмы контактные площадки потёрлись, почистились, контакт стал лучше. Или просто модули лучше стали (разместились) в разъёмах, чем было изначально. Вывод: программа Windows Memory Diagnostics Tool (Средство диагностики памяти Windows) от Microsoft в некоторых случаях (по крайней мере, в моём) лучше и быстрее (в стандартном (Standard) режиме при включенном кэше) тестирует ОЗУ, нежели Memtest86-ы.

Мне linx не понравился.
То ошибки, то всё хорошо.
На разных компах проверял.
Выключил энерго сберегайки ошибки пропали.
В другом компе вроде выключены энерго сберегайки. ошибки были потом прекращались, комп работает и играет без ошибок.
На всякий случай запускаю линкс.
Версий линкс куча, что не понятно какой версии верить.

Новая тема / Ответить Сообщений: 3

Медленная скорость чтения памяти

Аватар пользователя

Медленная скорость чтения памяти
проц: 10400f
мать: ASrock b560m pro4
озу: A-Data XPG SPECTRIX D50 RGB [AX4U32008G16A-DT50]
погнал ОЗУ до 4000мгц 19 23 23 43 cr2, 1.39в
В тесте аиды показывает скорость на чтение в районе 45000, в чем проблема?

Комментарии 29

Аватар пользователя

2 года назад

Плашки в 2 канала установлены? Двухканальный режим ?

Свернуть ответы 1

Аватар пользователя

poisonthesun
2 года назад

Аватар пользователя

6 месяцев назад

у меня такая же проблема с хмр 3200mhz 16-18-18-36 в 2 канала скорость чтения 30к

Аватар пользователя

poisonthesun
2 года назад
Изменено модератором

ну не может же быть таких низких скоростей при таких частотах

Свернуть ответы 1

Аватар пользователя

poisonthesun
2 года назад
Изменено модератором

Аватар пользователя

poisonthesun
2 года назад

может в биосе асрока есть какие — либо улучшалки, оптимизаторы, которые стоит отключить?

Аватар пользователя

2 года назад
Изменено автором

Очевидно в КОНСКИХ таймингах

Развернуть ответы 22

Обсуждение товара

Оперативная память 2 года назад

Большая латентность и маленькая скорость записи.

Проц — I5-11600Мать — AsRock H570M Pro4ОЗУ — Crucial Ballistix 8×2 3000 cl15 (e-die)Проблема — скорость записи намного ниже скорости чтения (35 гб в с и 52 гб в с, соответственно), латентность 49 нс, тогда как с такими параметрами у челов с инета было 40-45.

Оперативная память 1 год назад

Память не берёт заявленную производителем частоту

Апгрейднул ПКПроц: i5-10400FМать: Asrock b560m steel legendОЗУ: A-Data XPG SPECTRIX D41 RGB 2x8GbОперативка завелась максимум на 2933 через второй профиль XMP. Хотя Patriot Viper 4 Blackout 2x8Gb заводилась на 3200 через XMP(сдал её по гарантии, т.к отъехала одна плашка)

Видеокарты 2 года назад

Ребят подскажите пожожда

Нормальная ли сборка получится, видеокарта rx 580 8 gb но это пока что, хочу сначало всё обновить потом уже видеокарту на данный момент i5 9400f его уже не хватает в притык всё в 100% долбится 1) Оперативная память A-Data XPG Spectrix D60G RGB [A.

Видеокарты 1 год назад

Совместимость

будет ли работать i5 10400f на MSI MAG B560M MORTAR с оперативной памятью a-data xpg spectrix d41 3200мгц (две по 8гб) плюс видеокарта 1660 super

Материнские платы 1 год назад

Заработает ли Материнская плата GIGABYTE B450 AORUS ELITE V2 с Оперативная память A-Data XPG Gammix D10 [AX4U32008G16A-DR10] 16 ГБ и Процессором AMD R .

Заработает ли Материнская плата GIGABYTE B450 AORUS ELITE V2 с Оперативная память A-Data XPG Gammix D10 [AX4U32008G16A-DR10] 16 ГБ и Процессором AMD Ryzen 5 5600G? На физическом плане это DDR4 должно заработать, а на логическом плане заработает?

Тайминги оперативной памяти: как узнать и настроить

Тайминги оперативной памяти

Тайминг ОЗУ — это набор параметров, которые определяют, насколько быстро модуль оперативной памяти может получать доступ к данным и доставлять их. Тайминг оперативной памяти устанавливается производителем и определяется в спецификациях устройства. Они сказываются на эффективности оперативной памяти и могут повлиять на скорость работы системы. Более быстрые показатели способны привести к более быстрому доступу к информации и их передаче, но они также имеют увеличенную стоимость.

Важны ли тайминги оперативной памяти?

Тайминги ОЗУ важны, поскольку они могут повлиять на общую производительность персонального компьютера. Они имеют непосредственное отношение к задержке между моментом, когда делается запрос на доступ к данным из RAM чипов, и моментом, когда данные фактически доступны для использования. Однако важно отметить, что такой фактор, как скорость оперативной памяти, также может влиять на эффективность.

Как узнать тайминги оперативной памяти?

Самый простой способ узнать тайминги — проверить спецификации. Эта информация доступна пользователю на упаковке продукта или на сайте производителя. Если же доступа к упаковке нет, используется уже собранный персональный компьютер или ноутбук, то очень часто можно найти характеристики скорости в системном БИОС или прошивке UEFI.

Проверка таймингов оперативной памяти

Чтобы получить доступ к этим данным, необходимо перезагрузить компьютер и войти в утилиту настройки BIOS/UEFI, нажав определенную клавишу во время процесса загрузки. Стандартный вариант требует нажатия либо F2, либо F10 или Delete (на выбор). Когда вы окажетесь в утилите настройки, найдите раздел с надписью «Память» или «ОЗУ» — это должно дать доступ к необходимой информации. Если персональный компьютер собирался самостоятельно или была проведена замена планки оперативки, можно использовать сторонние программные утилиты, чтобы узнать тайминги памяти. CPU-Z — один из самых популярных вариантов, который может предоставить подробную информацию об аппаратном обеспечении устройства.

Расшифровка таймингов

Такие характеристики обычно представляются в виде ряда чисел, например «CL16-18-18-38» или «16-16-16-39». Эти цифры относятся к различным аспектам производительности оперативной памяти таким, как частота и тайминги оперативной памяти. Первое число, часто обозначаемое как «CL» или «CAS Latency», указывает на тактовые циклы, требующиеся RAM для ответа на запрос от ЦП. Меньшее число CL указывает на более высокую производительность — например, модуль ОЗУ с CL 14 будет быстрее отвечать на запросы, чем модуль с CL 16. Остальные числа во временной последовательности относятся к другим аспектам производительности ОЗУ, например, ко времени для чтения или записи данных. Эти числа обычно менее важны, чем число CL, но они все же могут влиять на общую производительность.

Схема таймингов памяти

  • CL. Задержка CAS.
  • tRCD. Задержка от RAS к CAS. Это относится к задержке между активацией строки в памяти и доступом к столбцу.
  • tRP. Время предварительной зарядки строки необходимое для деактивации строки после того, как данные были прочитаны или записаны в нее.
  • tRAS. Активен для времени предварительной зарядки. Это относится ко времени, которое требуется для деактивации строки и активации новой строки.

Все эти показатели имеют очень важное значение для полноценной работы устройства.

Штатные тайминги

Тайминги оперативной памяти могут сильно различаться в зависимости от конкретного модуля и производителя. Однако есть несколько «штатных» моментов, с которыми сталкивается большинство пользователей:

  • CL16. Это наиболее распространенное время для модулей оперативной памяти DDR4, и оно указывает на относительно высокую производительность. CL, или задержка CAS, является наиболее важным моментом, который следует учитывать при покупке ОЗУ. Он представляет собой количество тактов, которое требуется оперативной памяти для ответа на запрос от ЦП. Чем меньше число CL, тем быстрее будет работать оперативная память. Модуль ОЗУ CL16 обычно имеет время отклика 10 нс.
  • CL18. Модули оперативной памяти DDR4 с синхронизацией CL18 немного медленнее, чем модули CL16, но они также более доступны по цене. Обычно они имеют время отклика 11,25 нс.
  • CL14. Модули оперативной памяти DDR4 с синхронизацией CL14 считаются высококачественными и, как правило, более дорогими. Они обеспечивают высокую производительность со временем отклика 8,75 нс.

Нужно разобраться в том, какие средние показатели в наиболее актуальных поколений RAM.

Средние тайминги DDR4

DDR4, или Double Data Rate 4 — это память DDR четвертого поколения, которая предлагает более высокую пропускную способность и скорость, чем ее предшественница DDR3. DDR4 предназначена для работы с современными процессорами и материнскими платами, обеспечивая более высокую производительность и эффективность компьютеров и других электронных устройств.

Модули памяти DDR4 имеют разные характеристики, влияющие на их производительность, и выбор правильных таймингов может значительно повлиять на скорость и стабильность вашей системы. Следует разобрать средние тайминги DDR4 и как выбрать правильные тайминги для конкретной системы.

Память DDR4 работает с базовой тактовой частотой 2133 МГц и может повышаться до 4800 МГц, обеспечивая более высокую пропускную способность, чем память DDR3. Память DDR4 поставляется в различных конфигурациях таких, как одноранговая, двухранговая, четырехранговая и восьмиранговая, каждая из которых имеет свои преимущества и недостатки.

Память DDR4 также имеет различные тайминги, такие как задержка CAS (CL), tRCD (задержка RAS-CAS), tRP (время предварительной зарядки строки), tRAS (задержка между активным и предварительным зарядом) и tRC (время цикла строки). Эти тайминги определяют, сколько времени требуется контроллеру памяти для доступа к конкретной ячейке памяти и завершения операции чтения или записи.

Средние тайминги DDR4 — это среднее значение 4 основных таймингов:

  • задержка CAS (CL);
  • tRCD;
  • tRP;
  • tRAS.

Средние тайминги выражаются 4 числами, например 16-18-18-36, которые представляют четыре тайминга по порядку.

Задержка CAS (CL)

Время, необходимое контроллеру памяти для доступа к ячейке памяти после получения команды. CL является наиболее важным параметром времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения CL указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения CL для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRCD (задержка RAS to CAS)

Время, необходимое контроллеру памяти для доступа к ячейке памяти после активации строки памяти. tRCD — второй по важности показатель времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения tRCD указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения tRCD для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRP (время предварительной зарядки строки)

Время, необходимое контроллеру памяти для предварительной зарядки строки памяти перед доступом к другой строке. Наименее важный показатель для производительности памяти DDR4, и более высокие значения tRP не влияют на производительность так сильно, как более высокие значения CL или tRCD. Типичные значения tRP для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 14 до 19, где 14 — самый быстрый, а 19 — самый медленный.

tRAS (задержка от активации до предварительной зарядки)

Время, необходимое контроллеру памяти для активации строки памяти и последующей ее предварительной зарядки. tRAS также является важным параметром времени для производительности памяти DDR4, а более низкие значения tRAS указывают на более быстрое время доступа. Типичные значения tRAS для памяти DDR4 находятся в диапазоне от 30 до 42, где 30 — самый быстрый, а 42 — самый медленный.

Чем выше рабочая частота ОЗУ, тем выше время CL. Также отметим, что в таких случаях производительность поднимается за счёт увеличенной частоты при более менее приемлемых таймингах. Для наглядности стоит посмотреть на сравнительную таблицу самых популярных вариантов.

Поколение RAM Частота CL tRCD tRP tRAS
DDR4 2400 14 15 15 35
DDR4 2666 15 17 17 35
DDR4 3000 15 – 16 16 – 18 16 – 18 35 – 36
DDR4 3200 16 18 18 36
DDR4 3600 16 – 18 18 – 22 18 – 22 38 – 42

Значения для модулей памяти DDR4 могут различаться в зависимости от производителя и конкретной модели модуля памяти.

Подбор таймингов памяти DDR4

При выборе DDR4 необходимо учитывать несколько факторов, таких как характеристики процессора и материнской платы, предполагаемое использование системы и бюджет. Вот несколько рекомендаций, которые помогут выбрать правильные DDR4:

  • Проверьте характеристики процессора и материнской платы. Характеристики процессора и материнской платы играют решающую роль в определении максимальной поддерживаемой скорости DDR4. Перед покупкой DDR4 проверьте характеристики процессора и материнской платы, чтобы убедиться, что память совместима.
  • Учитывайте сценарий использования системы. Предполагаемое использование системы также может влиять на выбор DDR4. Например, если вы собираете игровой ПК, более быстрая синхронизация может обеспечить лучшую производительность в ресурсоемких играх. С другой стороны, если вы создаете рабочую станцию для таких задач, как редактирование видео или 3D-моделирование, больший объем памяти может оказаться более важным, чем более быстрое время.
  • Бюджет. Память DDR4 с более быстрыми характеристиками может быть дороже, чем с более медленными показателями. Подумайте о своем бюджете и выберите подходящие варианты DDR4.
  • Оптимизация вручную. Некоторые материнские платы позволяют вручную настраивать DDR4 для повышения производительности. Всегда проверяйте руководство к материнской плате и следуйте рекомендациям производителя при настройке.

При выборе DDR4 учитывайте характеристики процессора и материнской платы, предполагаемое использование системы и бюджет. Кроме того, нормальная латентность памяти DDR4 позволяет вручную настраивать timing, но это требует технических знаний и может привести к аннулированию гарантии. Выберите DDR4, которая обеспечит наилучший баланс производительности, совместимости и доступности для вашей системы.

Средние тайминги DDR3

Временные значения DDR3 зависят от конкретного модуля и частоты, на которую он рассчитан. Вот типичные характеристики для DDR3 на разных частотах:

Поколение RAM Частота CL tRCD tRP tRAS
DDR3 1333 9 9 9 24
DDR3 1600 11 11 11 28
DDR3 1866 13 13 13 32
DDR3 2133 15 15 15 35

Это наиболее распространенные значения таймингов, но разные производители могут предлагать несколько разные значения таймингов в зависимости от конкретного модуля. Кроме того, некоторые модули могут поддерживать XMP (Extreme Memory Profile), который может обеспечить еще более точные значения времени для повышения производительности, но требует ручной настройки в BIOS.

Задержка памяти DDR3

Задержка DDR3 относится к времени, которое требуется для доступа и извлечения данных. Задержка DDR3 может варьироваться в зависимости от нескольких факторов, включая скорость, тайминги, установленные в BIOS системы, а также конкретный ЦП и материнскую плату, используемые в системе.

Как правило, DDR3 имеет задержку CAS (строб доступа к столбцу) 9, 10, 11 или 12 тактов. Общая задержка рассчитывается путем добавления задержки CAS к дополнительной задержке, вносимой другими синхронизациями, такими как RAS (строб доступа к строке) и tRCD (задержка от RAS к CAS).

Общая задержка DDR3 может варьироваться от 9 нс для DDR3-1600 с малой задержкой до 15 нс и более для DDR3-1066 с большей задержкой. Однако важно отметить, что хотя меньшая задержка может привести к более быстрому доступу к данным, более высокая частота и большая емкость также могут улучшить общую производительность системы.

Какие тайминги лучше для DDR3

Для большинства пользователей DDR3 с таймингами 9-9-9-24 или 8-8-8-24 на частоте 1600 МГц является хорошим балансом между производительностью и стоимостью. Эти тайминги для DDR3 относятся к задержкам CAS, tRCD, tRP и tRAS соответственно.

Однако если вы создаете высокопроизводительную систему для игр или других ресурсоемких приложений, вам может потребоваться более быстрая DDR3 с более низкими таймингами, например, 7-7-7-20 или 6-6-6-18 при частоте 1866 МГц или более. Эти более быстрые комплекты, как правило, будут дороже, но они могут обеспечить заметный прирост производительности в определенных сценариях.

Латентность памяти DDR3

Задержка DDR3 относится ко временной задержке между запросом данных из модуля и доставкой этих данных в ЦП. Измеряется в наносекундах (ns) или тактовых циклах (CL). DDR3 имеет несколько временных параметров, влияющих на ее задержку, включая задержку CAS (CL), tRCD, tRP и tRAS.

Более низкие значения DDR3 приводят к более высокой производительности и меньшей задержке. Однако реальный выигрыш в производительности зависит от конкретной конфигурации системы и рабочей нагрузки. При выборе DDR3 для системы важно учитывать характеристики ЦП, материнской платы и разные тайминги оперативной памяти DDR3, чтобы обеспечить совместимость и оптимальную производительность.

Можно ли ставить оперативную память с разными таймингами?

В компьютерную систему можно установить RAM с разными таймингами. Однако когда устанавливается ОЗУ с разными таймингами, система будет использовать тайминги самого медленного установленного модуля ОЗУ. Это означает, что если у вас есть модуль RAM с таймингом 16-18-18-36 и другой модуль с таймингом 14-16-16-32, система будет работать с обоими модулями RAM на 16-18-18-36.

Должны ли совпадать тайминги оперативной памяти

Рекомендуется использовать модули RAM с одинаковыми таймингами, чтобы обеспечить наилучшую производительность и стабильность системы. Если вам нужно обновить систему и если у оперативной памяти разные тайминги — это не должно вызывать серьезных проблем. Чтобы добиться наилучших показателей, стоит со временем заменить модули на те, что будут иметь одинаковые тайминги.

Какие тайминги лучше для оперативной памяти?

Наилучшие тайминги для RAM зависят от нескольких факторов, включая конкретный тип и скорость используемого ОЗУ, а также требования к производительности компьютерной системы. Более низкие тайминги ОЗУ лучше влияют на производительность, потому что они позволяют памяти быстрее получать доступ к данным и передавать их. Однако это также означает, что модули RAM должны иметь возможность надежно работать на более высоких скоростях, чего может быть сложнее достичь с более производительной RAM.

Высокие тайминги оперативной памяти

Обычно относятся к более медленным таймингам, которые могут ограничивать производительность вашей ОЗУ. Это означает, что RAM потребуется больше времени для доступа и передачи данных, что может привести к снижению общей результативности системы.

Некоторые возможные причины использования более высоких таймингов ОЗУ могут включать:

  • Стабильность. В некоторых случаях увеличение таймингов вашей RAM может сделать ее более стабильной, особенно если вы разгоняете свою плату или другие системные компоненты.
  • Совместимость. Некоторые старые или более дешевые системы могут не поддерживать высокую производительность с низкими таймингами, поэтому увеличение таймингов может помочь обеспечить совместимость с вашим оборудованием.
  • Стоимость. Модули ОЗУ с меньшим значением времени могут быть дороже, чем модули с более высоким значением времени, поэтому выбор более высоких значений времени может быть более выгодным для некоторых пользователей.

Однако важно иметь в виду, что использование высоких таймингов ОЗУ почти всегда приводит к более низкой производительности, чем использование более низких таймингов, поэтому вам следует тщательно взвесить преимущества и недостатки использования более высоких таймингов для вашего конкретного случая использования.

У ВАС ВОЗНИКЛИ ВОПРОСЫ?

Задайте любые интересующие вопросы по WhatsApp

Тесты памяти ПК.

Каждый пользователь ПК практически каждый день сталкивается с программами тестирования оперативной памяти. Каждое включение компьютера, принтера и многих других устройств имеющих ОЗУ начинается с проверки работоспособности этой части устройства.

Возможные неполадки памяти могут иметь источники на любом уровне. Весьма уязвимым местом памяти являются контактные соединения модулей и микросхем памяти с печатной платой. Здесь возможны как нарушения контактов (полные, т.е. обрывы, которые выявляются легко и частичные – повышение сопротивления окислившихся контактов, что выявляется с трудом), так и замыкание соседних цепей токопроводящим мусором или погнутым контактом.

Существует достаточно большое число алгоритмов тестирования памяти, но наиболее часто используются следующие из них:

— простое чтение и запись;

— тест последовательных чисел;

Тест на простое чтение и запись. Самый применяемый тест для тестирования оперативной памяти ПК и видеопамяти. Суть этого теста заключается в записи определенного байта данных в каждую ячейку памяти с последующим чтением каждой ячейки. Если память исправна, то естественно, что при чтении должен быть получен тот же самый байт. Записываемый байт может быть абсолютно любым (на усмотрение разработчика теста), но чаще всего используются такие, как 00h (0000 0000), FFh (1111 1111), 55h (0101 0101), AAh (1010 1010). Это самый простой и быстрый тест, поэтому его применяют для проверки больших объемов памяти, емкость которой составляет сотни Кбайт и даже Мбайты. Однако проверку с помощью этого теста нельзя считать полностью достоверной, так как она не исключает возможности целого ряда ошибок в ОЗУ. Этот тест обычно применяют для первичного тестирования памяти и в основном с помощью него проверяется исправность шины данных памяти. Неисправность шины адреса памяти этим тестом часто невозможно определить. Кроме того следует отметить, что некоторые ошибки памяти невозможно определить этим тестом, если записывается только одно значение в память. Так, например, очень часто при обрыве контакта на шине данных в микросхемах динамической памяти при считывании этот разряд воспринимается как “1”. И поэтому если тестировать память только записью байта 1111 1111, то такая ошибка не будет выявлена. Исходя из сказанного, следует, что при тестировании памяти этим тестом лучше пользоваться такими байтами данных как 55h или ААh или тестировать память в несколько проходов записыванием различных значений (что предпочтительнее).

Тест последовательных чисел. Этот тест дает более достоверную информацию об исправности оперативной памяти. Тест заключается в последовательной записи двоичных числовых комбинаций 8-битового слова в блок памяти из 256 ячеек. Затем, начиная с первой ячейки, данные считываются и проверяются сравнением их с байтом, который там должен быть (т.е. с эталонным значением). Другими словами, в ячейку памяти с младшим байтом адреса 00h должно быть занесено значение 00h и в последствии прочитанный байт должен сравниваться с числом 00h. Аналогичным образом в ячейку памяти с адресом 01h заносится число 01h и прочитанное значение сравнивается с числом 01, в ячейку 02h число 02 и т.д. После заполнения 256 ячеек памяти, в 257 ячейку снова заносится число 00h и блок данных повторяется. С помощью этого теста определяются как ошибки шины данных (и обрыв и замыкание) так и ошибки шины адреса (обрыв и замыкание). Поэтому можно считать этот тест наиболее эффективным (с точки зрения и достоверности и скорости проверки) для тестирования значительных объемов памяти, так как достаточно одного прохода для выявления неисправных ячеек памяти.

Циклический тест. Циклический тест проверяет, не приведет ли установка одного из восьми битов байта данных к неправильной установке другого бита этого байта. Так например, в ячейку памяти с нулевым адресом записывается сначала двоичное значение 0000 0001 и затем из этой ячейки производится считывание байта и полученное значение сравнивается с двоичным числом 0000 0001. Далее в эту же ячейку записывается двоичное значение 0000 0010 и при чтении из ячейки мы должны так же получить значение 0000 0010. После этого в ту же ячейку памяти записывается число 0000 0100 и т.д. После того как будет записано и прочитано значение 1000 0000 переходят к следующей ячейки памяти. Таким образом этот тест заключается в загрузке и считывании двоичных чисел от 0000 0001 до 1000 0000 (причем в каждом последующем числе “1” циклически сдвигается влево) в каждую ячейку памяти, начиная с младшего адреса ОЗУ. Естественно, что этот тест занимает большие ресурсы времени, однако дает достаточно достоверную информацию о работоспособности памяти. Этот тест в основном используется для проверки на отсутствие замыкания между собой соседних контактов в шине данных. Стоит отметить что некоторые разработчики тестов используют циклический сдвиг вправо, а некоторые предпочитают циклически сдвигать “0” после заполнения ячейки значением 1111 1110.

Галопирующий тест. Этот тест в значительной степени напоминает циклический тест. Вначале в ячейку памяти записывается байт 0000 0000. После этого в эту же ячейку памяти заносится двоичное число 0000 0001 и проверяется и не изменились ли нулевые значения остальных 7 бит на единичные, т.е должны сравнить прочитанный байт с эталонным значением 0000 0001. Далее по этому же адресу загружается число 0000 0010, и снова проверяются остальные 7 бит. Этот процесс повторяется до загрузки по этому адресу числа 1000 0000 (эта часть теста аналогична циклическому тесту). После этого в ту же самую ячейку памяти заносится значение 1111 1111 и далее значение 1111 1110. После этого процесс начинается заново с циклической проверкой на 0. Таким образом для каждой ячейки памяти проводится два циклических теста с проверкой на “1” и “0”. Этот тест работает очень медленно и может потребовать десятки (!) часов на объемах памяти в сотни Кбайт, поэтому такой алгоритм проверку ОЗУ целесообразно использовать на объемах памяти не превышающих 4-8 Кбайт. Применение этого теста аналогично циклическому тесту.

Двухадресный тест. Этот тест работает следующим образом: сначала все ячейки памяти заполняются значением 00h (0000 0000), затем в первую ячейку памяти записывается значение FFh (1111 1111) и проверяется, не появились ли ошибочно единицы в каких либо других ячейках, т.е. байт прочитанный из всех остальных ячеек должен сравниваться с эталонным значением 00h. Если ошибок не обнаружено, то в проверенную ячейку снова заносится значение 00h, а тестирование переходит на следующую ячейку памяти: записывается в нее 1111 1111 и проверяются остальные ячейки памяти и т.д.

Тест суммирования. В этом алгоритме в каждую проверяемую ячейку памяти записывается байт, являющийся суммой двух байтов, составляющих адрес данной ячейки, после чего проверяется содержимое ячеек сравнением с эталонным значением.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *