Чья чувствительность выше фотодиода или фототранзистора
Перейти к содержимому

Чья чувствительность выше фотодиода или фототранзистора

  • автор:

5.2.3. Приемники излучения.

К числу полупроводниковых приемников излучения относятся фотодиоды, фототранзисторы, и другие приборы.

В основе работы приемников излучения лежит явление внутреннего фотоэффекта, при котором кванты света выбивают электроны из атомов полупроводника. Ставшие свободными электроны создают ток через p-n-переход.

В фотодиодах на p-n-переход подается обратное напряжение. В темноте обратный ток через диод достаточно мал. При освещении перехода увеличивается число «выбитых» квантами света электронов и образовавшихся на их месте дырок. Увеличивается обратный ток перехода, причем его величина зависит от освещенности перехода: Iобр=f(Ф), где Ф – световой поток. На этом основана работа фотодиода, к которому подключается источник обратного напряжения через сопротивление нагрузки. При увеличении светового потока увеличивается обратный ток и растет падение напряжения на нагрузке. Обозначение фотодиода на схемах и схема с фотодиодом приведены на рис.5.2 (а,б).

Технология изготовления фотодиодов почти не отличается от технологии изготовления обычных полупроводниковых диодов. На кристалле полупроводника создают слои с р и n проводимостями. Один вывод образует контакт с подложкой, а другой – тонкий, прозрачный слой металла. Разработаны более чувствительные и быстродействующие фотодиоды с четырехслойными гетеропереходами, с барьером Шотки, кремниевые p-i-n-диоды, которые все более вытесняют фотодиоды с p-n-переходом. Структура p-i-n-диода(см.рис.5.3) содержит слои полупроводника с р и n проводимостями, разделенные очень тонким i-слоем окиси кремния – изолятором. Обратный ток перехода в p-i-n-структуре чрезвычайно мал, что увеличивает чувствительность к слабым световым потокам. Энергия носителей заряда, возбужденных квантами падающего света, оказывается вполне достаточной, чтобы преодолеть тонкий слой изолятора и создать фототок.

Работа фототранзистора также основана на фотопроводимости. В транзисторе с «оторванной» базой (IБ=0) коллекторный ток равен

При облучении базы или области коллекторного перехода изменяется обратный ток IКБ0, и следовательно и коллекторный ток. Мощность сигнала в транзисторе с ОЭ из-за большей величины обратного тока (в β+1 раз) , чем в фотодиоде, при том же уровне напряжений источника питания. Таким образом, чувствительность фототранзистора выше.
Примерная и обозначение структура фототранзистора приведены на рис. 5.4.

От обычного биполярного транзистора фототранзистор отличается только тем, что у него в области эмиттерного перехода имеется прозрачное окно, пройдя которое свет попадает в базу. Образовавшиеся благодаря квантам света носители заряда создают ток базы.

К пассивным типам фотоприемников можно отнести фоторезисторы. Они изготавливаются из полупроводника, но без p-n-перехода, то есть фоторезисторы ведут себя как обычные омические сопротивления. Темновое сопротивление фоторезистора обычно велико и может достигать нескольких мегаом. Под действием света в толще полупроводника появляются свободные носители заряда, резко снижающие сопротивление фоторезистора.

© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005.

Фототранзистор

http://s5.uploads.ru/t/xw3kU.jpg

Фототранзистор – это полупроводниковый прибор оптоволоконного типа, который используется для управления электрическим током при помощи определенного оптического излучения. Эти устройства разработаны на базе обычного транзистора. Их современными аналогами являются фотодиоды, но фототранзисторы лучше подходят для многих современных радио и электронных приборов. По принципу действия, они напоминают также фоторезисторы.

Фото — фототранзистор

В отличие от фотодиодов, у этих полупроводников более высокая чувствительность.

Где используется фототранзистор:

Охранные системы (в основном, используются ИК-фототранзисторы);
Кодеры;
Компьютерные логические системы управления;
Фотореле;
Автоматическое управление освещения (здесь также используется инфракрасный фото-полупроводник);
Датчики уровня и системы подсчета данных.

Нужно отметить, что из-за диапазона Вольт гораздо чаще в подобных системах используются фотодиоды, но фототранзисторы имеют несколько существенных преимуществ:

Могут производить больший ток, чем фотодиоды;
Эти радиодетали сравнительно очень дешевые;
Могут обеспечить мгновенный высокий ток на выходе;
Главным достоинством приборов является то, что они могут обеспечить высокое напряжение, чего, к примеру, не сделают фоторезисторы.

При этом данный аналог светодиода имеет существенные недостатки, что делает фототранзистор довольно узкоспециализированной деталью:

Многие полупроводниковые устройства выполнены из силикона, они не способны обрабатывать напряжение свыше 1000 вольт.
Данные радиодетали очень чувствительны к перепадам напряжения в локальной электрической сети. Если диод не перегорит от скачка напряжения, то транзистор, скорее всего, не выдержит испытания;
Фототранзистор не подходит для использования в лампах из-за того, что не позволяет быстро двигаться направленным заряженным частицам.

Фототранзистор работает так же, как и транзистор, где ток направляется к коллектору, ключевым отличием является то, что в данном приборе, электроток контролируется только двумя активными контактами.

http://sa.uploads.ru/t/g03Fy.jpg

Фото — простой фототранзистор

В простой схеме, при условии, что ничего не подключено к фототранзистору, базовый ток регулируется при помощи определенного оптического излучения, которое определяет коллектор. Электроток попадает на полупроводник только после резистора. Таким образом, напряжение на приборе будет двигаться от высокого к низкому, в зависимости от уровня оптического излучения. Для усиления сигнала можно подключить устройство к специальному оборудованию. Выход фототранзистора зависит от длины волны падающего света. Этот полупроводник реагирует на свет в широком диапазоне волн в зависимости от спектра работы. Выход фототранзистора определяется площадью открытой переходной коллектор-базы и постоянного тока усиления транзистора.

Фототранзистор бывает разного типа действия, про это говорят основные схемы включения устройства. Виды прибора:

Оптический изолятор (напоминает по принципу трансформатор, у которого входы заблокированы при помощи электрических контактов);
Фотореле;
Датчики. Применяются в охранных системах. Это активные приборы, излучающие свет. При формировании и выделении определенного импульса, полупроводниковый прибор сразу же рассчитывает силу его возвращения. Если сигнал не вернулся или вернулся с другой частотой, то срабатывает сигнализация (как в охранных системах ИК).

Маркировки и основные параметры

http://s4.uploads.ru/t/1cWTG.jpg

Фототранзисторы, которые управляются внешними факторами, имеют обозначение аналогичное обычным транзисторам. На рисунке ниже Вы можете видеть, как такой датчик схематически показывается на чертеже.

При этом VT1, VT2 – это фототранзисторы и база, а VT3 – без базы (например, из мышки). Обратите внимание, цоколевка показана также, как у обычных транзисторов.

Вместе с прочими приборами полупроводникового типа (n-p-n), использующимися для трансформации излучения, эти устройства являются оптронами. Соответственно, их можно изобразить как светодиод в корпусе либо как оптроны (с двумя стрелками, находящимися под углом 90 градусов к базе коллектора). Усилитель на большинстве таких схем обозначается так же, как и база коллектора.

Основные характеристики фототранзисторов LTR 4206E, ФТ 1К и ИК-SFH 305-2/3:
Название Ток коллектора, mA Ток фотоэлемента, mA Напряжение, V Область использования Длина волны, nm
LTR 4206E 100 4,8 30 Радиоэлектронные схемы. 940
ФТ 1К 100 0,4 30 Логические системы управления, сигнализация и т. д. 940
ИК-SFH 305-2/3 (Osram) 50 0.25 – 0.8 32 Охранные системы, роботы, датчики препятствия Arduino (Ардуино) на фототранзисторе. 850

При этом светосинхронизатор ФТ 1 выполнен из кремния, что дает ему явное преимущество – долговечность и устойчивость к перепадам напряжения. ВАХ представляют собой формулу:
формула ВАХ
Фото — формула ВАХ

Расчет производится так же, как и у биполярных транзисторов.

В зависимости от потребностей, Вы можете купить фототранзистор SMD PT12-21, КТФ-102А или LTR 4206E (перед тем, как взять деталь, нужно проверить её работоспособность). Цена от 3 рублей до нескольких сотен.

Если Вы хотите своими руками сделать устройство, для которого необходим фототранзистор, можно разработать простую интеллектуальную систему. Робот по этой схеме будет реагировать на свет, в зависимости от настройки, он будет от него убегать или наоборот, выходить на источник освещения.

Чтобы самому сделать робота, необходимо приготовить:

http://s9.uploads.ru/t/46Djq.jpg

Микросхему L293D;
Небольшой моторчик, можно взять даже от детской игрушки;
Любые отечественные фототранзисторы и полевые резисторы с сопротивлением на менее 200 Ом;
Кабеля для соединения и корпус, где будет расположен механизм.

Как видно по схеме, фототранзистор здесь – это своеобразный микроконтроллер, как ATMEGA, который определяет источник света, даже его подключение аналогично. Вы можете при использовании паяльника сделать простой механизм, который будет следовать даже за тенью. Подобные импортные приборы выпускает компания BEAM, но, естественно, там более мощная оптопара. Для работы устройства Вам нужно только правильно подключить фототранзистор к схеме и питанию.

На обозначении есть пункты GDR и VCC. Первое – это заземление, второе – питание. Обратите внимание, рядом с питанием стоит значок 5В – это значит, что батарея должна быть минимум на 5 вольт.

Принцип действия такого робота прост: когда свет попадает на фототранзистор, на микросхеме происходит включение мотора. Это реализуется, потому что приемник подал положительный сигнал. Заводится самодельный мотор и прибор начинает двигаться.

Использование резистора в этой схеме необходимо для регулировки электрического тока. Также от сопротивления резистора зависит долговечность оптической детали, если он перегреется – то фототранзистору потребуется замена. Для работы очень важно подключить все провода также, как и на схеме. Выключатель к роботу можно приделать от обычной шариковой ручки, он будет разрывать связь между микросхемой и фототранзистором. Проверка робота производится путем исследования его реакции на свет и тень.

Фототранзисторы, виды, принцип работы

Фототранзистор — это полупроводниковый прибор, который работает на основе фотоэффекта. Он состоит из полупроводникового кристалла, который может быть изготовлен из кремния, германия или других материалов.

Полезные статьи:

Фотокатоды, характеристики, принцип работы

Фототок, свойства, принцип работы

Все статьи

Фототранзисторы — это фотоприемники на полупроводниковой основе. Необходимо отличать обычные биполярные устройства от полевых фототранзисторов (фотопереходов).

Оба типа обсуждаются ниже, хотя первый гораздо более распространен. Фототранзисторы используются не так широко, как фотодиоды, при этом коммерчески доступные вариации не охватывают столь широкие области параметров с точки зрения диапазонов длин волн, квантовой эффективности, активной площади, полосы обнаружения и т.д.

Принцип работы фототранзистора

Принцип работы фототранзистора заключается в том, что при попадании света на поверхность кристалла, электроны в его структуре начинают двигаться быстрее, создавая ток. Этот ток можно использовать для управления различными электронными устройствами, такими как реле, светодиоды и т.д.

Фототранзисторы могут быть использованы для создания фотодатчиков, которые используются в системах автоматического управления, робототехнике, медицинской диагностике и других областях. Они также могут быть использованы в качестве компонентов в светодиодных лампах, солнечных батареях и других электронных устройствах.

Принцип работы фототранзистора заключается в следующем:

1. Когда на фототранзистор попадает свет, он начинает генерировать электроны и дырки в полупроводнике, которые начинают двигаться под действием электрического поля.

2. Эти электроны и дырки создают электрический ток, который проходит через эмиттерный переход, создавая напряжение на эмиттере и коллекторе.

3. Коллектор имеет большую площадь, чем эмиттер, что позволяет ему собирать больше электронов, создавая больший ток.

4. Этот ток может быть использован для управления другими электронными устройствами, такими как реле или светодиоды.

5. Фототранзисторы могут быть использованы для создания фотоэлементов, которые преобразуют свет в электричество, что может быть использовано для питания электронных устройств или для зарядки аккумуляторов.

Включение фототранзистора

Фототранзистор — это электронный прибор, который преобразует световое излучение в электрический сигнал. Он состоит из трех основных элементов: фоточувствительного элемента, транзистора и цепи обратной связи.

Когда фоточувствительный элемент (обычно кремниевый фотодиод) поглощает свет, он генерирует электрический заряд, который затем передается на транзистор. Транзистор усиливает этот заряд и передает его на цепь обратной связи, которая может быть использована для управления другими устройствами или для создания сигнала.

Процесс включения фототранзистора происходит следующим образом:

1. Подключите источник питания к фототранзистору. Обычно фототранзисторы питаются от напряжения 5 В или 12 В.

2. Подключите входной сигнал к базе фототранзистора. Входной сигнал может быть светом, звуком или другим физическим сигналом.

3. Проверьте, что входной сигнал соответствует диапазону, который может обработать фототранзистор. Обычно это от 0 до 5 В для аналоговых входов и от 0 до 32767 для цифровых входов.

4. Проверьте, что фототранзистор находится в правильной ориентации. Фототранзисторы могут быть ориентированы как на свет, так и на темноту.

5. Запустите входной сигнал и проверьте, что выходной сигнал фототранзистора изменяется в соответствии с входным сигналом.

3. После этого фототранзистор начнет генерировать электрический сигнал, который усиливается транзистором и передается на выход.

4. Выходной сигнал можно использовать для управления другими электронными устройствами, такими как реле или микроконтроллер.

5. Для выключения фототранзистора нужно просто отключить напряжение питания и сигнал на вхо де.

Характеристики фототранзистора

Выбор фототранзистора может основываться на ряде параметров и спецификаций.

Ток коллектора

Является мерой чувствительности фототранзистора. Он описывает максимально допустимую токовую нагрузку в коллекторе и измеряется в миллиамперах (мА) или амперах (А). Ток, превышающий этот параметр, может привести к повреждению фототранзистора.

Пиковая длина волны

Это значение длины волны, при котором фототранзистор наиболее чувствителен. Он измеряется в нанометрах (нм). Фототранзисторы реагируют на свет в широком диапазоне длин волн от флуоресцентных источников света или источников света с лампами накаливания.

Они работают лучше всего в сочетании с инфракрасными (ИК) светодиодными источниками света. Это связано с тем, что фототранзисторы имеют пиковую спектральную характеристику в ближнем ИК-диапазоне при длине волны около 840 нм.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Это максимальное напряжение, допустимое между коллектором и эмиттером. Превышение максимального напряжения может привести к необратимому повреждению фототранзистора.

  • Напряжение пробоя сборного эмиттера обычно находится в диапазоне от 20 В до 50 В.
  • Напряжение пробоя эмиттера-коллектора обычно составляет от 4 В до 6 В.

Темновой ток

Это небольшое количество тока, которое может протекать через фототранзистор, даже если он не подвергается воздействию света.

Темновой ток — это термически генерируемый ток утечки коллектора-эмиттера. Это предотвращает то, что устройство когда-либо будет считаться полностью «выключенным». Темновой ток увеличивается с температурой и измеряется в миллиамперах (мА).

Рассеиваемая мощность фототранзистора, измеряемую в ваттах или милливаттах (мВт). Фактическое рассеивание определяется умножением напряжения на транзисторе и тока через коллектор. Обычно указывается внешняя температура окружающей среды 25 ° C.

Время нарастания и спада

Являются мерами скорости отклика фототранзистора. И то, и другое выражается в наносекундах (нс).

  • Время нарастания — необходимое для увеличения формы импульсного сигнала с 10% до 90% от его максимального значения.
  • Время падения — необходимое для падения производительности с 90% до 10%.

Виды фототранзистров

Обозначение фототранзистора

Фототранзистор обозначается как FET (Field Effect Transistor) или CCT (Compound Semiconductor Transistor).

Обозначение фототранзисторов может различаться в зависимости от производителя и модели. Однако, обычно фототранзистор обозначается как «Q» с добавлением номера, например, «Q1», «Q2», и т.д.

Если фототранзистор имеет несколько выводов, то они могут быть обозначены как «1», «2», «3», и т.д., с добавлением буквы «E» для эмиттера, «C» для коллектора и «B» для базы. Например, обозначение фототранзистора с тремя выводами может быть «Q3EBC».

Маркировка фототранзисторов

Светодиод-фототранзистор

Светодиод-фототранзистор (LED-phototransistor) — это комбинация светодиода и фототранзистора, которая используется в различных электронных устройствах для контроля света.

Светодиод — это полупроводниковый прибор, который преобразует электрический ток в свет. Светодиоды широко используются в качестве индикаторов на различных устройствах, таких как мобильные телефоны, компьютеры, телевизоры и т.д.

Фототранзистор — это полупроводниковый элемент, который имеет свойство изменять свое сопротивление в зависимости от интенсивности света, падающего на его поверхность. Фототранзисторы используются для измерения уровня света или для управления различными электронными устройствами.

Сочетание светодиода и фототранзистора позволяет создать устройство, которое может контролировать уровень света на определенном участке. Когда свет попадает на фототранзистор, он изменяет свое сопротивление, что приводит к изменению тока, протекающего через светодиод. Это изменение тока может быть использовано для управления другими электронными устройствами, такими как реле или микроконтроллеры.

В целом, светодиод-фототранзистор является очень полезным элементом в электронных устройствах, так как он позволяет контролировать уровень света и использовать его для управления другими компонентами.

Биполярные фототранзисторы

Принцип действия, повышенная чувствительность

Биполярный фототранзистор — это, по сути, электронная транзисторная структура, в которой свет извне может попадать на переход база–коллектор. Созданные электрические носители вводятся в базу, таким образом, оказывая эффект, аналогичный току базы, вводимому по проводу в обычном транзисторе. Результирующий ток коллектора демонстрирует существенное усиление, легко в 100 или более раз.

Чувствительность устройства соответственно выше, чем у фотодиода. Однако это не обязательно приводит к более высокой чувствительности обнаружения, т.е. к более низкой мощности, эквивалентной шуму, поскольку шум фототока также усиливается. То же самое относится к темновому току, протекающему даже без какого-либо падающего света.

Полоса пропускания обнаружения

Существенным недостатком концепции фототранзистора является то, что это обычно приводит к существенно более низкой скорости (полосе обнаружения), ограниченной электрической емкостью соединения коллектор–база. Типичное время нарастания и спада составляет порядка нескольких микросекунд.

Спектральные области

Фототранзисторы могут быть основаны на различных полупроводниковых материалах, таких как германий, кремний и арсенид галлия. Из-за их разной энергии запрещенной зоны они могут использоваться в разных областях с длиной волны – аналогично фотодиодам на основе тех же материалов.

Обратите внимание, что обычный транзистор также был бы светочувствительным, если бы он не был оснащен непрозрачным корпусом. Однако фототранзисторы — это не просто обычные транзисторы с прозрачным корпусом; они имеют дополнительно оптимизированные структуры, например, для эффективного освещения перехода коллектор–база.

Два или три контакта, электрические схемы

В большинстве случаев фототранзистор имеет только два вывода (для эмиттера и коллектора), но существуют также устройства с дополнительным базовым выводом. Первый тип может использоваться в электронных схемах того же типа, что и фотодиоды, например, просто последовательно с резистором, подключенным к постоянному напряжению.

Результирующее падение напряжения на резисторе в этом случае приблизительно пропорционально интенсивности падающего света. Однако использование транзисторного усилителя обеспечивает лучшую производительность.

Если имеется дополнительный вывод базы, его можно подключить через дополнительный резистор к эмиттеру. Приложенное сопротивление влияет как на чувствительность, так и на темновой ток.

Линейность и температурная зависимость

Линейность отклика (фототок против интенсивность света) фототранзистора существенно менее точна, чем у фотодиода, поскольку коэффициент усиления фототранзистора зависит от тока коллектора.

Фототок также имеет существенно более высокую температурную зависимость, чем для фотодиода, поскольку коэффициент усиления транзистора зависит от температуры.

Фотодарлингтоны

Для еще более высокой чувствительности существуют фотодарлингтоны. По аналогии с обычными транзисторами Дарлингтона, имеется дополнительный внутренний транзистор для дальнейшего умножения тока. К сожалению, пропускная способность таких устройств еще больше снижается. Время нарастания и спада обычно составляет от десятков до сотен микросекунд.

Сравнение с лавинными фотодиодами

Лавинные фотодиоды также обладают существенно повышенной чувствительностью и в этом смысле похожи на фототранзисторы. Однако принцип действия совершенно иной. В лавинообразных фотодиодах используется умножение несущей из-за лавинообразного увеличения несущей в области истощения, а не усиление, подобное транзисторам.

Для этого требуются значительно более высокие рабочие напряжения, а коэффициент умножения довольно чувствительно зависит от рабочего напряжения. Кроме того, полоса пропускания обнаружения может быть намного выше. В отличие от этого, фототранзисторы могут работать при напряжении всего в несколько вольт, и зависимость чувствительности от напряжения возбуждения не такая сильная.

Фототранзисторы с эффектом поля

П олевые фототранзисторы — это транзисторы, которыми можно управлять с помощью света. Их принципы работы и эксплуатационные характеристики существенно отличаются от таковых у биполярных фототранзисторов. Вентилю такого устройства по существу не требуется ток возбуждения, только напряжение возбуждения.

Это напряжение не обязательно обеспечивается за счет фотоэлектрического эффекта в устройстве; можно также использовать болометрические эффекты, то есть эффекты нагрева. На основе таких принципов были реализованы очень чувствительные инфракрасные детекторы.

Применение фототранзисторов

Фототранзисторы привлекательны для применений, где интерес представляет более высокая чувствительность по сравнению с чувствительностью фотодиода, в то время как возможные недостатки с точки зрения полосы пропускания и линейности обнаружения не имеют существенного значения. Это может иметь место, например, для некоторых оптоизоляторов и детекторов световых завес.

Приложения

Фототранзисторы могут использоваться для обнаружения света в ряде приложений:

  • Мониторинг положения бумаги и контроль полей в принтерах и копировальных аппаратах
  • Детектирование в охранных системах
  • Измерение скорости и направления в энкодерах
  • Дистанционное считывание показаний бытовых электросчетчиков
  • Подсчет монет или других предметов
  • Пульты дистанционного управления аудиовизуальным оборудованием и приборами
  • Управление затвором для фотоаппаратов
  • Обнаружение защитных экранов и других систем защиты
  • Системы контроля качества – применяются в системах контроля качества, чтобы определять качество материалов или изделий.
  • Медицина – используются в медицинских устройствах для контроля состояния пациента.
  • Промышленная автоматизация – применяются в промышленной автоматизации для управления освещением, контроля доступа и других задач.

В целом, фототранзисторы являются важными элементами в современной электронике и находят широкое применение в различных отраслях.

Фотодиод vs Фототранзистор

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.
Примечание: Ваш пост будет проверен модератором, прежде чем станет видимым.

Поделиться

Последние посетители 0 пользователей онлайн

  • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу

Объявления

Сообщения

He3haika

@Less товарищу неинтересен выбор в РФ

VIT13

Для Майкрософт ничего не стоит сделать например обновление биос которое просто сотрëт прошивку. Либо они могут договорится с крупными компаниями, такими как HP, DELL, ASUS, MSI, Lenovo и т.д. и сделать с их помощью нужные деффектные обновления (хотя учитывая насколько Майкрософт крупная компания, им ничего не стоит и самим переписать нужные прошивки биос, они ведь все в открытом доступе). Тут важен сам факт того, что система может без запроса разрешения у пользователя обновить прошивку биос, и более того, может сделать так что это обновление произойдëт даже если вы выключите пк аварийным отключением. После повторного запуска обновление всë равно произойдëт. Т.е. сейчас максимум что может сделать пользователь лицензионной Windows 11, это запретить обновления на 2 недели, не более. Больше он ничего не может сделать, если система захочет, она обновится, и пользователь ей не сможет помешать ничем кроме полного отключения любого доступа к интернету у ПК на аппаратном уровне.

Yuretskok

А разве обновы биоса майкрософт пишет?
ТТЛ — 7474 КМОП — 4013 Если единственный, то да. Но в данном случае речь шла о четырех.

Alpatov

Измерения на слабой звуковухе, период 500 сек.

Порог для защиты силовых транзисторов или для защиты подключаемой схемы? Если не регулируемая защита, то для подключаемой схемы она не годится. А регулируемая медленная защита тоже для подключаемой схемы не подойдет. Правильно вам советует @Николай Шумейко

Yuretskok

Ну, не всегда. Либо, выйдет шибко дорого. Например, ваши варианты ко мне вряд ли так просто приедут. Либо, за дполнительную плату.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *