Что такое ключи нижнего и верхнего уровня
Перейти к содержимому

Что такое ключи нижнего и верхнего уровня

  • автор:

Что такое ключи нижнего и верхнего уровня

Ключ на полевых транзисторах

31 Января 2017 Полевые МОП-транзисторы (metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно «MOSFET») очень удобны для использования в качестве ключа для управления мощной нагрузкой постоянного тока. Следует лишь соблюдать несколько простых правил при их использовании.

включение MOSFET в качестве ключа

    Из-за того, что в открытом состоянии транзистор имеет очень малое сопротивление сток-исток, падение напряжения на нём мало. Именно поэтому имеет значение в какое «плечо» включать нагрузку. Например, для открытия полевого транзистора N-типа на затвор нужно подать положительное напряжение относительно истока. Рассмотрим случай, когда нагрузка включена в цепь истока (в нижнее плечо). Напряжение на истоке в таком случае будет равно: Uпит — (I · Rотк.) Здесь Rотк. это сопротивление открытого транзистора. Так как данное сопротивление мало (десятки-сотни миллиом), если притянуть затвор к питанию, разница напряжений между затвором и истоком будет недостаточна для полного открытия транзистора даже при большом токе. Данное ограничение можно обойти используя разные источники для питания нагрузки и для управления затвором, но нужно чётко понимать как это работает.

Микросхемы-драйверы MOSFET транзисторов

  • Одна из особенностей подключения MOSFET транзистора к цифровым схемам — это необходимость подачи достаточного напряжения затвор-исток. В даташитах на транзистор пороговое напряжение затвор-исток (gate-source), при котором он начинает открываться называется gate threshold voltage (VGS). для полного открытия таким транзисторам надо подать на затвор довольно большое напряжение. Обычно это около 10 вольт, а микроконтроллер чаще всего может выдать максимум 5В. Есть несколько вариантов решения данной проблемы:
    • На биполярных транзисторах соорудить цепочку, подающую питание с высоковольтной цепи на затвор.
    • Применить специальную микросхему-драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117. Надо только не забывать, что есть драйверы как верхнего так и нижнего плеча (или совмещенные, полумостовые). Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и коммутирующего транзистора. Для того, чтобы поддерживать N-канальный транзистор открытым в верхнем плече, ему на затвор нужно подать напряжение выше напряжения истока, а с учётом малого падения на самом транзисторе, получается что это выше напряжения питания. Для этого в драйвере верхнего плеча используется накачка напряжения. Этим и отличается драйвер нижнего плеча от драйвера верхнего плеча.
    • Также возможно просто использовать транзистор с малым отпирающим напряжением (т.н. logic level транзисторы). Например из серии IRL630A или им подобные. У них открывающие напряжения привязаны к логическим уровням. У них правда есть один недостаток — их порой сложно достать. Если обычные мощные полевики уже не являются проблемой, то управляемые логическим уровнем бывают далеко не всегда.

    IR2184, IR21844

    IR2184/IR21844 – драйверы высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с зависимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию.

    Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.

    182 Kb Engl Описание микросхемы

    Интеллектуальные ключи International Rectifier

    Интеллектуальные ключи International Rectifier имеют несколько степеней защиты, оптимизированные для автомобильных приложений диапазоны рабочих напряжений, и не нуждаются в дополнительных драйверах МОП-транзисторов. Эти и другие преимущества позволяют с успехом использовать интеллектуальные ключи в автомобильной электронике и промышленной технике.

    PLM – новый аккумулятор EVE для транспортных GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях

    Интеллектуальные ключи или IPS (Intelligent Power Switches) имеют высокую плотность тока и несколько степеней защиты, благодаря чему их надежность при перегрузках и обратном включении гораздо выше по сравнению с обычными МОП-транзисторами (MOSFET). Они защищены от включения с обратной полярностью, перегрузок по току и напряжению и от перегрева кристалла. Диапазоны рабочих напряжений и токов интеллектуальных ключей оптимизированы для автомобильных приложений с напряжениями питания 12, 24 и 42 В. Управление ключами непосредственно от логических схем позволяет отказаться от дополнительных драйверов МОП-транзисторов. В силу этих и многих других достоинств, интеллектуальные ключи находят широкое применение в автомобильной электронике и промышленной технике.

    Интеллектуальные ключи International Rectifier можно разделить на три группы:

    • интеллектуальные ключи нижнего уровня;
    • интеллектуальные ключи верхнего уровня;
    • интеллектуальные ключи верхнего уровня с программируемой отсечкой тока.

    Интеллектуальные ключи нижнего уровня

    У интеллектуальных ключей нижнего уровня исток соединяется с общим силовым проводом, нагрузка подключается между стоком и шиной питания. Использование входа управления для диагностики корректности режимов работы ключа позволяет обойтись всего тремя выводами корпуса. Низкое количество выводов корпуса и простота схемы интеллектуальных ключей нижнего уровня позволяют снизить цену этих приборов. Типовая схема включения ключа нижнего уровня показана на рисунке 1.

    Рис. 1. Типовая схема включения интеллектуального ключа нижнего уровня

    Вход управления ключей этого типа одновременно является и входом диагностики рабочего состояния прибора по величине входного тока. Ключи этого класса защищены от перегрева кристалла (температура выключения 165°С), имеют оптимизированные длительности фронтов и спада импульсов для минимизации создаваемых электромагнитных помех, реализована функция активного ограничения тока (Active clamp). Максимальное значение ограничения тока у самых мощных ключей составляет 85 А. Низкий входной ток и совместимость с логическими уровнями позволяют упростить управление ключами от микроконтроллера и исключить дополнительные электронные компоненты. Разнообразие корпусов для интеллектуальных ключей нижнего уровня (типы корпусов приведены на рисунке 1) и широкий диапазон максимальных выходных токов позволяют сделать разработчику оптимальный выбор прибора. Основные параметры интеллектуальных ключей нижнего уровня сведены в таблицу 1.

    Таблица 1. Интеллектуальные ключи нижнего уровня International Rectifier

    Ниаменование Корпус Число
    входов
    Rси(вкл), (мОм) Uвых макс,
    (B)
    Параметры защиты
    Iвыкл, (А) Tвыкл, (C°)
    IPS1011 TO-220AB 1 13 36 85 165
    IPS1011R D-Pak 1 13 36 85 165
    IPS1011RPBF D-Pak 1 13 36 85 165
    IPS1011S D2-Pak 1 13 36 85 165
    IPS1011SPBF D2-Pak 1 13 36 85 165
    IPS1021R D-Pak 1 25 36 35 165
    IPS1021RPBF D-Pak 1 25 36 35 165
    IPS1021S D2-Pak 1 25 36 35 165
    IPS1021SPBF D2-Pak 1 25 36 35 165
    IPS1021 TO-220AB 1 25 36 35 165
    IPS1021PBF TO-220AB 1 25 36 35 165
    IPS1031 TO-220AB 1 50 36 18 165
    IPS1031PBF TO-220AB 1 50 36 18 165
    IPS1031R D-Pak 1 50 36 18 165
    IPS1031S D2-Pak 1 50 36 18 165
    IPS1042GPBF SO-8 2 100 39 6 165
    IPS1041RPBF D-Pak 1 100 39 6 165
    IPS1041LPBF SOT-223 1 100 39 6 165
    IPS2041RPBF D-Pak 1 130 68 5 165
    IPS2041LPBF SOT-223 1 130 68 5 165
    IPS1052GPBF SO-8 2 250 39 2,8 165
    IPS1051LPBF SOT-223 1 250 39 2,8 165

    Интеллектуальные ключи верхнего уровня

    Чаще всего в автомобиле нагрузка подключается к общему силовому проводу («массе»). В этих случаях управлять нагрузкой удобно с помощью интеллектуальных ключей верхнего уровня. Типовая схема включения интеллектуальных ключей верхнего уровня на примере серии IPS60xx приведена на рисунке 2.

    Рис. 2. Типовая схема включения интеллектуальных ключей верхнего уровня (серия IPS60xx)

    Интеллектуальные ключи верхнего уровня International Rectifier имеют пять выводов (вход основной, вход диагностики, общий цифровой, вывод для подключения питания и выход). На рисунке 3 проиллюстрировано корректное соединение общего силового и общего цифрового проводников для исключения протекания тока нагрузки через цифровую землю, что предотвращает ложные срабатывания ключа.

    Рис. 3. Корректное соединение общих проводников интеллектуальных ключей верхнего уровня

    Дополнительный вход диагностики DG (diagnostics) позволяет контролировать состояние ключа во время работы и при включении. На примере интеллектуальных ключей верхнего уровня серии IPS60xx на рисунке 4 показаны режимы, диагностируемые ключами этой серии. Ключи этой серии способны определить обрыв (отключение) нагрузки, короткое замыкание выхода на общий провод или на шину питания, а также перегрев кристалла.

    Рис. 4. Режимы диагностики интеллектуальных ключей серии IPS60xx

    При случайном отключении цифрового общего провода интеллектуальный ключ автоматически переходит в аварийный режим работы и отключает нагрузку. Этот момент показан на рисунке 5. Резисторы Rdgp и Rвх ограничивают ток через микроконтроллер.

    Рис. 5. Ограничение тока через микроконтроллер при обрыве общего цифрового провода

    В интеллектуальных ключах верхнего уровня реализована защита от перегрева кристалла при резком увеличении выходного тока. Временные диаграммы, иллюстрирующие срабатывание защиты при превышении допустимой температуры кристалла показаны на рисунке 6.

    Рис. 6. Ограничение тока в циклах перегрева у ключей верхнего уровня серии IPS60xx

    В момент достижения кристаллом максимально допустимой температуры Тогр+ происходит отключение ключа от нагрузки. После снижения температуры до уровня Тогр- работоспособность ключа восстанавливается. Если перегрузка не устранена, то такие температурные циклы будут периодически повторяться, что показано на рисунке 6.

    При перегрузке в ключах верхнего уровня реализовано активное ограничение тока. Это освобождает микроконтроллер от постоянного контроля работоспособности интеллектуального ключа. Однако необходимо учитывать, что при перегрузке по току транзистор переходит в линейный режим, и рассеиваемая на нем мощность может оказаться недопустимо большой. В документации для интеллектуальных ключей приводятся графики зависимости допустимой индуктивности нагрузки при максимальном токе (типовой график показан на рисунке 7). Типовые временные диаграммы, иллюстрирующие режим активного ограничения тока ключей серии IPS60xx приведены на рисунке 7.

    Рис. 7. Активное ограничение тока в линейном режиме работы ключа (типовые графики)

    Подробно все эти процессы рассмотрены в руководстве по применению AN-1117, которое можно легко найти на сайте производителя http://www.irf.com/ .

    Подробно все эти процессы рассмотрены в руководстве по применению AN-1117, которое можно легко найти на сайте производителя .
    Основные параметры интеллектуальных ключей верхнего уровня приведены в таблице 2.

    Таблица 2. Ключи верхнего уровня International Rectifier

    Наименование Корпус Число
    входов
    Rси(вкл),
    (мОм)
    Uвых макс, (B) Параметры защиты
    Iстаб, (А) Tвыкл, (C°)
    IPS6011RPBF D-Pak-5 1 14 39 60 165
    IPS6011PBF TO-220FL 1 14 39 60 165
    IPS6011SPBF D2-Pak -5 1 14 39 60 165
    IPS6021RPBF D-Pak-5 1 30 39 32 165
    IPS6021PBF TO-220FL 1 30 39 32 165
    IPS6021SPBF D2-Pak -5 1 30 39 32 165
    IPS6031PBF TO-220FL 1 60 39 16 165
    IPS6031SPBF D2-Pak -5 1 60 39 16 165
    IPS6031RPBF D-Pak-5 1 60 39 16 165
    IPS7081RPBF D-Pak-5 1 70 70 5 165
    IPS7081PBF TO-220AB 1 70 70 5 165
    IPS7081SPBF D2-Pak -5 1 70 70 5 165
    IPS7071GPBF SO-8 1 110 70 5 165
    IPS7091SPBF D2-Pak -5 1 120 70 5 165
    IPS7091GPBF SO-8 1 120 70 5 165
    IPS7091PBF TO-220AB 1 120 70 5 165
    IPS6041RPBF D-Pak-5 1 130 39 7 165
    IPS6041PBF TO-220FL 1 130 39 7 165
    IPS6041GPBF SO-8 1 130 39 7 165
    IPS6041SPBF D2-Pak -5 1 130 39 7 165

    Интеллектуальные ключи верхнего уровня с программируемой отсечкой тока

    Интеллектуальные ключи этого типа позволяют разработчику устанавливать нужный ток ограничения при перегрузке, выбирая номинал резистора Rfb (fb = feedback — обратная связь), как показано на рисунке 8.

    Рис. 8. Типовая схема включения интеллектуальных ключей верхнего уровня с программируемой отсечкой тока

    При этом не требуются низкоомные прецизионные резисторы для датчика тока в выходной цепи. Ключи этого типа выпускаются в корпусах TO-220-5 и D2Pak-5. При срабатывании защиты (при перегреве или перегрузке по току) выходной транзистор выключается независимо от состояния ключа в данный момент времени. Минимальное значение тока отсечки составляет около 10 процентов от максимального уровня. Ключи также имеют активное ограничение тока, защиту от обратного включения источника питания, защиту от перегрева и от статического электричества. Структурная схема таких ключей показана на рисунке 9.

    Рис. 9. Структурная схема интеллектуальных ключей с программируемой отсечкой тока

    В интеллектуальных ключах с программируемой отсечкой тока реализована улучшенная функция защиты от перегрева под названием WAIT (ожидание, задержка включения). Временные диаграммы, иллюстрирующие работу функции WAIT в режиме перегрузки при длительных входных импульсах и относительно низкой частоте переключения, показаны на рисунке 10.

    Рис. 10. Изменение температуры кристалла при длительных входных импульсах и низкой частоте переключения при отсутствии (а) и наличии (б) функции WAIT

    При отсутствии функции WAIT температура кристалла может превысить максимально допустимое значение и достичь теплового пробоя (верхняя часть рисунка 10). Функция WAIT, реализованная с помощью таймера и логических элементов (рис. 9) обеспечивает задержку перезапуска ключа. Таким образом, транзистор получает дополнительное время на остывание, что исключает тепловое разрушение кристалла интеллектуального ключа.

    Особенно наглядно работа функции WAIT проявляется в аварийном режиме при коротких входных импульсах и высокой частоте переключения (рис. 11).

    Рис. 11. Изменение температуры кристалла при коротких входных импульсах и высокой частоте переключения при отсутствии (а) и наличии (б) функции WAIT

    Схема WAIT обеспечивает пропуск нескольких импульсов в течение временного интервала, формируемого таймером и логическими схемами. Такая защита не исключает нарастания температуры кристалла до опасного значения, не допуская перегрева интеллектуального ключа.

    Активное ограничение тока по функции аналогично ключам верхнего уровня без программируемой отсечки тока. Защита от статического электричества (ESD) и активная защита при аварийном обрыве нагрузки вносят свой вклад в обеспечение высокой надежности интеллектуальных ключей с программируемой отсечкой тока. Для реализации программируемой отсечки тока в ключах этого типа введены дополнительный МОП-транзистор и операционный усилитель для считывания выходного тока. Ток ограничения определяется номиналом резистора Rfb и коэффициентом усиления операционного усилителя в цепи обратной связи. Ключи с программируемой отсечкой тока дают разработчику дополнительные возможности для организации максимально защищенной схемы по сравнению с остальными сериями интеллектуальных ключей. Основные параметры ключей с программируемой отсечкой тока сведены в таблицу 3.

    Таблица 3. Ключи верхнего уровня с программируемой отсечкой тока фирмы International Rectifier

    Наименование Корпус Число
    входов
    Rси(вкл),
    (мОм)
    Uвых макс,
    (B)
    Параметры защиты Коэфф. ОС по току
    Iвыкл, мин,
    (А)
    Iвыкл, макс,
    (А)
    Твыкл,
    (С°)
    IR3313PBF TO-220FL 1 7 40 10 90 165 8800
    IR3316S D2-Pak -5 1 7 40 10 90 165 8800
    IR3316SPBF D2-Pak -5 1 7 40 10 90 165 8800
    IR3313S D2-Pak -5 1 7 40 10 90 165 8800
    IR3313SPBF D2-Pak -5 1 7 40 10 90 165 8800
    IR3314SPBF D2-Pak -5 1 12 40 6 58 165 5300
    IR3314PBF TO-220FL 1 12 40 6 58 165 5300
    IR3315SPBF D2-Pak -5 1 20 40 3 30 165 2800
    IR3315PBF TO-220FL 1 20 40 3 30 165 2800

    Рекомендуемые новые замены для интеллектуальных ключей International Rectifier предыдущих поколений

    Технологии производства силовых МОП-транзисторов International Rectifier постоянно совершенствуются, выпускаются новые поколения ключей для замены IPS старых поколений. Желательно знать заранее о рекомендуемых заменах ключей предыдущих поколений, чтобы не быть застигнутыми врасплох, когда очень трудно и по высокой цене придется искать транзисторы старых серий. Переход на новые серии интеллектуальных ключей неизбежен, поэтому производитель в таблице 4 приводит рекомендуемые замены для старых серий. International Rectifier обращает особенное внимание на очень важный момент: замены необходимо рассматривать только в качестве рекомендуемых.

    Таблица 4. Рекомендуемые производителем International Rectifier замены для IPS предыдущих поколений

    Наименование Rdson, (мОм) Корпус Рекомендуемая замена*
    IPS0151 25 TO-220 IPS1021
    IPS0151S 25 D2Pak IPS1021S
    IPS021 150 TO-220 IPS1041
    IPS021L 150 SOT-223 IPS1041L/IPS2041L
    IPS021S 150 D2Pak IPS1041S
    IPS022G 2×150 SO-8 IPS1042G
    IPS031 60 TO-220 IPS1031
    IPS031R 60 DPak IPS1031R
    IPS031S 60 D2Pak IPS1031S
    IPS041L 500 SOT-223 IPS1051L
    IPS042G 2х500 SO-8 IPS1052G
    IPS511G 135 TO-220 IPS6041
    IPS511G 150 SO-8 IPS6041G/IPS7091G
    IPS511S 135 D2Pak IPS6041S
    IPS521 80 TO-220 IPS6031
    IPS521G 100 SO-8 IPS6041G/IPS7081G
    IPS521S 80 D2Pak IPS6031S
    IPS5451 25 TO-220 IPS6021
    IPS5451S 25 D2Pak IPS6021S
    IPS5751 25 TO-220 IPS6021
    IPS5751S 25 D2Pak IPS6021S
    IR3310 7 TO-220 IR3313
    IR3310S 7 D2Pak IR3313S
    IR3311 12 TO-220 IR3314
    IR3311S 12 D2Pak IR3314S
    IR3312 20 TO-220 IR3315
    IR3312S 20 D2Pak IR3315S
    *Внимание! Производитель рекомендует рассматривать замены только в качестве ориентировочных! Необходимо обязательно внимательно изучать документацию (datasheets) на исходный компонент и рекомендуемую для него замену из этой таблицы

    Разработчик должен обязательно убедиться на 100 процентов в том, что рекомендуемая замена полностью удовлетворяет его требованиям.

    1. Fabio Necco «Features of the Low-Side Family IPS10xx»
    2. David Jacquinod, Fabio Necco «Features of the High-Side Family IPS60xx»
    3. David Jacquinod «Current Sensing High-Side Switch — P3»
    4. Datasheets для рассматриваемых в статье интеллектуальных ключей.

    Низкий ключ: что это такое, как снимать, схемы света

    Низкий ключ (от английского low key) — техника съёмки, когда вся фотография сделана в тёмных тонах. Кадр утопает в тени, за исключением отдельных деталей, на которых фотограф специально сделал акцент. Например, абсолютно чёрный фон и портрет, где в тонкой полоске света видны лишь глаза модели. Такие фотографии делают, как правило, на чёрном фоне с объектами тёмных цветов или с моделью, одетой в тёмную одежду.

    Рассказываем, что и как фотографировать в низком ключе, а также делимся простыми рабочими схемами света.

    Особенность низкого ключа в фотографии — использование узконаправленного жёсткого света, дающего сильный контраст светотени, тёмные и глубокие тени / Источник: unsplash.com

    Фото в низком ключе — что снимать

    • Фэшн-фотография. Фотографии в низком ключе с резкими фактурными тенями, яркими бликами позволяют сделать эффектные и динамичные «глянцевые» снимки. Кроме того, точечная подсветка, характерная для низкого ключа, даёт пространство для экспериментов.
    • Предметная и фуд-фотография.

    Контрастные и «сочные» фотографии в низком ключе подчёркивают текстуру материала и позволяют поставить акцент на объекте, чем привлекают внимание зрителя к нему / Источник: unsplash.com

    • Силуэт. Можно сказать, силуэт — классическое проявление техники низкого ключа. Тонкая полоска света, подчеркивающая форму, подойдёт и для предметной фотографии, и для минималистичного натюрморта, и для съёмки людей.
    • Женские и мужские портреты. Низкий ключ в фотографии позволяет получить контрастные снимки, наполненные энергией, а также драматичные психологические портреты.

    Как снимать в низком ключе — 9 советов

    Фотосессия в низком ключе кажется проще, чем съёмка в технике высокого ключа. Действительно, недосветить сцену кажется легче, чем сильно и при этом аккуратно высветлить кадр. Также тёмный ключ проще «докрутить» на постобработке.

    Самая большая сложность низкого ключа — так расставить световые акценты, чтобы они светили точечно, но при этом выделяли композиционные центры. Ниже мы делимся секретами, как упростить себе съёмку в низком ключе.

    – Для фотосъёмки в низком ключе выбирайте тёмные, а лучше чёрные фоны. В квартире таким фоном может стать помещение с выключённым светом, в которое вы ставите модель. При этом свет должен попадать через открытую дверь из другой освещённой комнаты.

    – Просите модель или стилиста подобрать на съёмку чёрную или тёмную одежду и аксессуары. При этом не забывайте, что необязательно уходить в чёрно-белый по цветовой гамме — оставьте место для яркого цветного акцента. Например, можно сделать нуарный ретро-портрет, где у модели будет акцент на ярких губах.

    – Отдайте преимущество светоформирующим насадкам, дающим жёсткий свет — рефлекторам, тубусам, портретным тарелкам. С ними тени на фотографии получатся тёмными и глубокими, а направленный свет будет освещать только те части композиции, которые надо.

    Подсветите теневую половину лица модели с помощью отражателя / Источник: unsplash.com

    – Чтобы сузить пучок света и направлять его более прицельно, наденьте на светоформирующие насадки соты. Это решётка, которая дополнительно уменьшит рассеивание света. К слову, для рефлекторов можно попросить не только соты, но и шторки.

    – Используйте маски Гобо, чтобы получить узорные тени, либо пропускайте свет через узкие отверстия. Например, вырежьте в листе картона тонкую полоску и прикрепите её на рефлектор скотчем. Так вы получите узорную полоску света, а всё остальное будет погружено в темноту.

    – Ставьте рисующий свет сбоку под углом 45 и даже 90 градусов от фотоаппарата, а также не забывайте про контровой свет, чтобы подчеркнуть форму.

    – Следите, чтобы свет, падающий на модель, не освещал фон. Для этого поставьте объект съёмки минимум на 1,5 метра от фона.

    – Снимайте на значениях ISO 100 или приближенном к этому значении. Чтобы дополнительно затемнить кадр, укорачивайте выдержку и закрывайте диафрагму.

    Небольшие яркие акценты оживляют снимок и добавляют ему сочности / Источник: unsplash.com

    Также помните, что короткая выдержка замораживает движение, что полезно при съёмке людей в динамичных позах (прыжках, танце и т.д.), сыпучих материалов, жидкостей. Закрытая же диафрагма не только затемняет кадр, но и позволяет захватить больше объектов в зону резкости.

    – Фотографируйте в RAW, чтобы на постобработке без потери качества затемнить тени, выровнять по освещенности светлые части кадра и поднять контраст. Для этого используйте в Lightroom или Adobe Camera Raw ползунки Контраст / Contrast, Тени / Shadows, Чёрные / Blacks, Света / Lights, Белые / Whites, а также Кривые / Cruves.

    Низкий ключ схемы света

    Из-за того, что задача при съёмке в низком ключе — получить тёмный кадр, схемы света для этой техники простые и требуют минимум источников света. Более того, все или почти все из них можно повторить даже дома, не тратясь на фотостудию.

    Универсальная схема света: съёмка в низком ключе в студии

    Простая схема света с одним моноблоком подойдёт для любого жанра — от портрета до минималистичного натюрморта. Вместо студийного света можно использовать обыкновенную внешнюю вспышку и легко повторить схему дома — лишь бы был тёмный фон.

    Иллюстрация: Елизавета Чечевица, Фотосклад.Эксперт

    • портретная тарелка или рефлектор, чтобы получить жёсткий контрастный свет. Для усиления эффекта попросите сотрудника фотостудии принести самые мелкие соты;
    • отражатель сбоку и чуть за спиной от модели даст аккуратную подсветку-контровик, которая будет отделять фигуру от фона. Если хочется добавить кадру большей таинственности, уберите отражатель. Вместо отражателя в домашних условиях можно использовать лист бумаги, ватман или белую ткань.

    Контрастная схема света низкий ключ

    Свет, направленный точно сбоку на модель, даст интересный и контрастный светотеневой рисунок. Если фотографировать человека анфас, половина лица может быть в жёсткой тени, а отражатель сбоку даст лёгкий контровик. Если важно осветить лицо полностью, сфотографируйте клиента в профиль.

    Иллюстрация: Елизавета Чечевица, Фотосклад.Эксперт

    • моноблок с портретной тарелкой или рефлектором с сотами, поставленные под углом 90 градусов;
    • отражатель, стоящий ровно напротив источника света с другой стороны от модели.

    Схема света: фото в низком ключе в домашних условиях для предметной съёмки

    Простая световая схема, которую легко реализовать дома. Главное в ней — сделать так, чтобы свет от окна освещал предмет, но не попадал на фон. Такая схема подойдёт для натюрмортов, предметной и фуд-фотографии.

    Иллюстрация: Елизавета Чечевица, Фотосклад.Эксперт

    – чёрный фон и поверхность, на которой будет стоять объект. Подойдёт даже однотонная выглаженная чёрная ткань. Главное очистить её от шерсти — это гораздо быстрее, чем «пылесосить» десятки кадров на постобработке;

    – окно, рядом с которым будет стоять объект. Если вдруг в момент съёмки солнечная погода, смягчите свет тюлем;

    – чёрный флаг, отражатель с чёрной поверхностью или любой другой плотный тёмный объект, которым можно качественно оградить фон от падающего из окна света.

    Схема света низкий ключ для портретной съёмки дома

    Достаточно сложная для новичка схема света в низком ключе. Подойдёт для творческих портретных фотографий. Ключевую роль тут может сыграть дверь, через которую будет «бить» вспышка. Открывая или закрывая дверь, вы получите более широкую или узкую полоску света.

    Иллюстрация: Елизавета Чечевица, Фотосклад.Эксперт

    • тёмное помещение. Подойдёт комната с плотными блэкаут-шторами или ванная, где обычно нет окон и легко добиться полной темноты;
    • моноблок с рефлектором или портретной тарелкой или обычная внешняя вспышка;
    • чёрный флаг или отражатель, который будут перекрывать отражаемый от стен и падающий из окна свет в светлой комнате.

    Схема света силуэт в низком ключе

    Простая схема света, которую можно реализовать как дома, так и в фотостудии. Подойдёт для творческих портретов, натюрмортов и минималистичной предметной съёмки.

    Иллюстрация: Елизавета Чечевица, Фотосклад.Эксперт

    – чёрный фон. Чем дальше вы поставите модель от фона, тем меньше шансов, что на него попадёт свет вспышки;

    – моноблок с одной из насадок: портретная тарелка; рефлектор с сотами; стрипбокс. Последний хорош для предметной съёмки — он даёт вытянутые эффектные блики. В домашних условиях можно обойтись обыкновенной штатной внешней вспышкой.

  • Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *